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BSC120

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  • BSC120N03LSG
    BSC120N03LSG

    BSC120N03LSG

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：廖R

    電話：13163738578

    地址：龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707

  • 100

  • INFINEON

  • C72-晶體管

  • 1852

  • -

  • BSC120N03LSG
    BSC120N03LSG

    BSC120N03LSG

  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：0755-830415598397218513430523058

    地址：深圳市福田區(qū)華強北都會大廈A座19樓19G

  • 15000

  • INFINEON

  • TDSON-8

  • 08+

  • -

  • 絕對公司原裝現(xiàn)貨

  • BSC120N03LS G
    BSC120N03LS G

    BSC120N03LS G

  • 深圳市安博威科技有限公司
    深圳市安博威科技有限公司

    聯(lián)系人：吳

    電話：18320850923

    地址：深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場1713室

  • 9000

  • INFINEON

  • QFN8

  • 18+

  • -

  • 誠信經營，只做原裝

  • BSC120N03LSGATMA1
    BSC120N03LSGATMA1

    BSC120N03LSGATMA1

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 5000

  • INFINEON

  • 主營優(yōu)勢

  • 19+

  • -

  • 100%原裝正品★終端免費供樣★

  • BSC120N03MSG
    BSC120N03MSG

    BSC120N03MSG

  • 深圳市鵬威爾科技有限公司
    深圳市鵬威爾科技有限公司

    聯(lián)系人：胡慶偉

    電話：13138879988

    地址：深圳市寶安區(qū)新安街道翻身路117號 富源商貿中心D棟601

  • 5000

  • INF

  • ORIGONAL

  • 16+

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BSC120 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
BSC120 技術參數(shù)
  • BSC119N03S G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11.9A（Ta），30A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11.9 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1370pF @ 15V 功率 - 最大值:43W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC118N10NSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11A（Ta），71A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11.8 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 70μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3700pF @ 50V 功率 - 最大值:114W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC117N08NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 49A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:49A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11.7 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 22μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC110N15NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 150V 76A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:76A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:8V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.6V @ 91μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:35nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2770pF @ 75V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:125W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 38A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC110N06NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:50A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 23μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2700pF @ 30V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC150N03LD G BSC150N03LDGATMA1 BSC152N10NSFGATMA1 BSC159N10LSF G BSC159N10LSFGATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 BSC16DN25NS3 G BSC16DN25NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 BSC196N10NSGATMA1 BSC200P03LSGAUMA1 BSC205N10LS G BSC22DN20NS3 G BSC22DN20NS3GATMA1 BSC240N12NS3 G BSC252N10NSFGATMA1
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