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BSP615S2L

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
BSP615S2L PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
  • 系列
  • OptiMOS™
  • 標準包裝
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫歐 @ 9A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • TO-220FP
  • 包裝
  • 管件
BSP615S2L 技術(shù)參數(shù)
  • BSP613PL6327HUSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.9A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):130 毫歐 @ 2.9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):875pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP613PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.9A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):130 毫歐 @ 2.9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):875pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP613P 功能描述:MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.9A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):130 毫歐 @ 2.9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):875pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP612PH6327XTSA1 功能描述:SMALL SIGNAL+P-CH 制造商:infineon technologies 系列:* 包裝:- 零件狀態(tài):在售 安裝類型:- 供應(yīng)商器件封裝:- 封裝/外殼:- 標準包裝:1,000 BSP61,115 功能描述:TRANS PNP DARL 60V 1A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.3V @ 500μA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 500mA,10V 功率 - 最大值:1.25W 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 基本零件編號:BSP61 標準包裝:1 BSP742RIXUMA1 BSP742RXUMA1 BSP742T BSP742TXUMA1 BSP752R BSP752RXUMA2 BSP752T BSP752TXUMA1 BSP75GQTA BSP75GQTC BSP75GTA BSP75NHUMA1 BSP75NNT BSP75NQTA BSP75NTA BSP76 E6327 BSP762T BSP762TXUMA1
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