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EPC8QC100N

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EPC8QC100N PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • FPGA-配置存儲(chǔ)器 IC - Ser. Config Mem Flash 8Mb 50 MHz
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Altera Corporation
  • 存儲(chǔ)類(lèi)型
  • Flash
  • 存儲(chǔ)容量
  • 1.6 Mbit
  • 工作頻率
  • 10 MHz
  • 電源電壓-最大
  • 5.25 V
  • 電源電壓-最小
  • 3 V
  • 電源電流
  • 50 uA
  • 最大工作溫度
  • + 85 C
  • 最小工作溫度
  • - 40 C
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PLCC-20
EPC8QC100N 技術(shù)參數(shù)
  • EPC8QC100 功能描述:FPGA-配置存儲(chǔ)器 IC - Ser. Config Mem Flash 8Mb 50 MHz RoHS:否 制造商:Altera Corporation 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:1.6 Mbit 工作頻率:10 MHz 電源電壓-最大:5.25 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:50 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PLCC-20 EPC8010ENGR 功能描述:TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.7A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 500mA，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.48nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:55pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:- 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 EPC8010 功能描述:TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.7A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 500mA，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.48nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:55pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC8009ENGR 功能描述:TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:65V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.1A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:138 毫歐 @ 500mA，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.38nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:47pF @ 32.5V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 EPC8009 功能描述:TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:65V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.7A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 500mA，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.45nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:52pF @ 32.5V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC9004C EPC9005 EPC9005C EPC9006 EPC9006C EPC9010 EPC9010C EPC9013 EPC9014 EPC9016 EPC9017 EPC9018 EPC9019 EPC9022 EPC9023 EPC9024 EPC9025 EPC9027
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