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FSSD

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  • FSSD06BQX
    FSSD06BQX

    FSSD06BQX

  • 萬(wàn)三科技(深圳)有限公司
    萬(wàn)三科技(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:王俊杰

    電話:188185984650755-23763516

    地址:深圳市龍華區(qū)民治街道新牛社區(qū)金地梅隴鎮(zhèn)9棟4單元14C

  • 6500000

  • ON Semiconductor

  • 原廠原裝

  • 22+

  • -
  • 萬(wàn)三科技 秉承原裝 實(shí)單可議

  • FSSD06BQX
    FSSD06BQX

    FSSD06BQX

  • 深圳市軒盛達(dá)電子有限公司
    深圳市軒盛達(dá)電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:1588932848313924772445

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道深南中路3006號(hào)佳和華強(qiáng)大廈五樓5C103

  • 10000

  • -
  • 原廠原裝現(xiàn)貨,代找緊缺料

  • FSSD07UMX
    FSSD07UMX

    FSSD07UMX

  • 甄芯網(wǎng)
    甄芯網(wǎng)

    聯(lián)系人:

    電話:0755-836658130755-83465652

    地址:深南中路佳和大廈B座907

  • 115

  • Fairchild Semiconductor

  • 24-UFQFN

  • 11+

  • -
  • █原裝正品█ 可開(kāi)17%增票█ 可申請(qǐng)免...

  • FSSD06BQX
    FSSD06BQX

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  • 科創(chuàng)特電子(香港)有限公司
    科創(chuàng)特電子(香港)有限公司

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    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907

  • 3000

  • FAIRCHILD (ON SEMICONDUCT

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FSSD 技術(shù)參數(shù)
  • FSS804-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):14A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):50nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3000pF @ 10V 功率 - 最大值:3.3W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FSS275-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):6A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):43 毫歐 @ 3A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1100pF @ 20V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FSS273-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 45V 8A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):45V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):22 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2225pF @ 20V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FSS264-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):85 毫歐 @ 2A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1560pF @ 20V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FSS1500NST 功能描述:Surface Mount Force Sensor 1.5kgf (3.3lbs) 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:FSS 零件狀態(tài):有效 作用力:1.5kgf(3.3磅) 輸出:180mV 傳感器類(lèi)型:表面貼裝 電壓 - 電源:3 V ~ 6 V 致動(dòng)器類(lèi)型:滾珠 致動(dòng)器樣式/尺寸:圓形,1.98mm 工作溫度:-40°C ~ 85°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 FST100200 FST10030 FST10035 FST10040 FST10045 FST10060 FST10080 FST10-140-BKTS FST-11.8D-14 FST-11A-10 FST-11A-11 FST-11A-20 FST-11A-5 FST-11A-7 FST-11A-8 FST120100 FST120150 FST12020
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