IRFR9N20D

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

IRFR9N20DTRPBF
深圳市瑞斯特電子科技有限公司
深圳市瑞斯特電子科技有限公司
聯(lián)系人：楊銳鋒
電話：0755-8255091013189682405
地址：深圳福田區(qū)華強(qiáng)廣場二樓Q2B046
1000
INFINEON/英飛凌
TO-252
21+
-
原裝深圳現(xiàn)貨

IRFR9N20DPBF
深圳市科宏特電子有限公司
深圳市科宏特電子有限公司
聯(lián)系人：李瑞兵
電話：18897698645
地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強(qiáng)電子世界三店佳和4C148
36000000
Infineon
22+
-
原裝正品

IRFR9N20D
甄芯網(wǎng)
甄芯網(wǎng)
聯(lián)系人：柯先生/趙小姐
電話：0755-83665813
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907 門市部：中航路都會電子3C002B
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
10000
IR
TO-252
12+
-
優(yōu)勢現(xiàn)貨量大可供實單價格可談

IRFR9N20DTRLPBF
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯(lián)系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907
3000
INFINEON
主營優(yōu)勢
19+
-
100%原裝正品★終端免費供樣★

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制造商
International Rectifier
功能描述
MOSFET N D-PAK
制造商
Int'L Rectifier
功能描述
Trans MOSFET N-CH 200V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

IRFR9N20D 技術(shù)參數(shù)

IRFP460 功能描述:MOSFET N-CH 500V 18.4A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18.4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:270 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:128nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2980pF @ 25V 功率 - 最大值:220W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 IRFP450 功能描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:380 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2000pF @ 25V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 IRFP250 功能描述:MOSFET N-CH 200V 33A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:33A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:85 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:158nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2850pF @ 25V 功率 - 最大值:180W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 IRF840 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:850 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:39nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:832pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRF830 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 2.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:610pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRFRC20TRL IRFRC20TRLPBF IRFRC20TRPBF IRFRC20TRR IRFRC20TRRPBF IRFS11N50A IRFS11N50APBF IRFS11N50ATRL IRFS11N50ATRLP IRFS11N50ATRR IRFS11N50ATRRP IRFS17N20D IRFS17N20DPBF IRFS17N20DTRL IRFS17N20DTRLP IRFS17N20DTRR IRFS17N20DTRRP IRFS23N15D