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NID5004NT4G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
NID5004NT4G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 功率驅動器IC POWER MICROINTEGRAT
  • RoHS
  • 制造商
  • Micrel
  • 產品
  • MOSFET Gate Drivers
  • 類型
  • Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
  • 上升時間
  • 下降時間
  • 電源電壓-最大
  • 30 V
  • 電源電壓-最小
  • 2.75 V
  • 電源電流
  • 最大功率耗散
  • 最大工作溫度
  • + 85 C
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • SOIC-8
  • 封裝
  • Tube
NID5004NT4G 技術參數
  • NID5003NT4G 功能描述:MOSFET 42V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NID5003NT4 功能描述:MOSFET 42V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NID5001NT4G 功能描述:MOSFET 42V 33A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NID5001NT4 功能描述:MOSFET 42V 33A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NIC9N05TS1 功能描述:MOSFET NFET DIE CLAMPEDFET 55V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NID9N05CLT4 NID9N05CLT4G NIF5002NT1 NIF5002NT1G NIF5002NT3 NIF5002NT3G NIF5003NT1 NIF5003NT1G NIF5003NT3 NIF5003NT3G NIF62514T1 NIF62514T1G NIF62514T3G NIF9N05CLT1 NIF9N05CLT1G NIF9N05CLT3 NIF9N05CLT3G NILMS4501NR2
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