PMN34LN

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET N CH 20V 5.7A SOT457
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET, N CH, 20V, 5.7A, SOT457
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET, N CH, 20V, 5.7A, SOT457; Transistor Polarity

PMN34LN 技術參數(shù)

PMN30XPX 功能描述:MOSFET P-CH 20V SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.2A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:23nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1575pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:550mW（Ta）, 6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 5.2A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 標準包裝:1 PMN30UNX 功能描述:MOSFET N-CH 20V SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.5A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:635pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:530mW（Ta）, 4.46W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 4.5A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 標準包裝:1 PMN30UNEX 功能描述:MOSFET N-CH 20V SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.8A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:9nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:558pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:530mW（Ta）, 4.46W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:36 毫歐 @ 4.8A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 標準包裝:1 PMN28UN,135 功能描述:MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 2A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:740pF @ 10V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應商器件封裝:6-TSOP 標準包裝:1 PMN27XPE,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.4A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:22.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1770pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:530mW（Ta），8.33W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 3A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 標準包裝:1 PMN40UPE,115 PMN40UPEAX PMN42XPE,115 PMN42XPEAH PMN42XPEAX PMN45EN,135 PMN45EN,165 PMN48XP,115 PMN48XP,125 PMN48XPAX PMN49EN,135 PMN49EN,165 PMN50UPE,115 PMN50XP,165 PMN52XPX PMN55LN,135 PMN6-3R-2K PMN6-5R-2K