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PSMN0R9-25YLC

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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N CH 25V 100A LFPAK
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET, N CH, 25V, 100A, LFPAK
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET, N CH, 25V, 100A, LFPAK, Transistor Polarity
PSMN0R9-25YLC 技術(shù)參數(shù)
  • PSMN0R7-25YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 25V LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:300A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:110.2nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:8320pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:158W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:0.72 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SOT-1023，4-LFPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN075-100MSEX 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Tj） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:16.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:773pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:65W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:71 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN070-200P,127 功能描述:MOSFET N-CH 200V 35A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:77nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:4570pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:250W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 17A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN070-200B,118 功能描述:MOSFET N-CH 200V 35A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:77nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:4570pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:250W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 17A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN069-100YS,115 功能描述:MOSFET N-CH LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:17A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:14nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:645pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:56W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:72.4 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-40ULDX PSMN1R0-40YLDX PSMN1R1-25YLC,115 PSMN1R1-30EL,127 PSMN1R1-30PL,127 PSMN1R1-40BS,118 PSMN1R2-25YL,115 PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLDX PSMN1R2-30YLC,115 PSMN1R2-30YLDX PSMN1R3-30YL,115 PSMN1R4-30YLDX PSMN1R4-40YLDX PSMN1R5-25YL,115 PSMN1R5-30BLEJ PSMN1R5-30YL,115
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