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STP26NM60

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  • STP26NM60N
    STP26NM60N

    STP26NM60N

  • 北京力通科信電子有限公司
    北京力通科信電子有限公司

    聯(lián)系人：韓小姐

    電話：13661385246

    地址：北京市海淀區(qū)知春路118號(hào)知春大廈B座1504室，新中發(fā)電子市場(chǎng)B1303-b1305柜臺(tái)

  • 300

  • STMICROELECTRONICS

  • SMD

  • 19+

  • -

  • 進(jìn)口原裝公司現(xiàn)貨庫(kù)存

  • STP26NM60N
    STP26NM60N

    STP26NM60N

  • 深圳市瑞斯特電子科技有限公司
    深圳市瑞斯特電子科技有限公司

    聯(lián)系人：楊銳鋒

    電話：0755-8255091013189682405

    地址：深圳福田區(qū)華強(qiáng)廣場(chǎng)二樓Q2B046

  • 0

  • STM

  • TO220

  • -

  • 高品質(zhì)！價(jià)格美麗！

  • STP26NM60N
    STP26NM60N

    STP26NM60N

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人：胡

    電話：13480313979

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場(chǎng)54樓5403B-5404AB

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • ST/意法

  • 22+

  • N/A

  • -

  • 原裝正品 專(zhuān)業(yè)BOM配單

STP26NM60 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
STP26NM60 技術(shù)參數(shù)
  • STP265N6F6AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 180A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:180A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.85 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:183nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:11800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP260N6F6 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:183nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:11400pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP260N4F7 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:67nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:5600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:235W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 60A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP25NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:21A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 10.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2400pF @ 50V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP25NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:21A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 10.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:84nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2400pF @ 50V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP28N65M2 STP28NM50N STP28NM60ND STP28X0.2MBL STP28X0.2MBU STP28X0.2MGR STP28X0.2MIG STP28X0.2MOR STP28X0.2MRD STP28X0.2MVL STP28X0.2MYL STP28X0.5MBL STP28X0.5MBL-Q STP28X0.5MBU STP28X0.5MBU-Q STP28X0.5MGR STP28X0.5MGR-Q STP28X0.5MIG
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