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STP40NF10L

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
STP40NF10L PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-Ch 100 Volt 40 Amp
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
STP40NF10L 技術(shù)參數(shù)
  • STP40NF10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):50A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):28 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):62nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2180pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP40NF03L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):22 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):15nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):770pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP40N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 32A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):32A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):99 毫歐 @ 16A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):56.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2355pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP40N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):34A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):88 毫歐 @ 17A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):57nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2500pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP40N20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 40A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):75nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2500pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP45N60DM2AG STP45N65M5 STP45NE06 STP45NF06 STP45NF3LL STP46NF30 STP4CMPQTR STP4LN80K5 STP4N150 STP4N52K3 STP4N62K3 STP4N80K5 STP4N90K5 STP4NB100 STP4NB50 STP4NB80 STP4NK50Z STP4NK50ZD
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