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參數(shù)資料
| 型號： | IC42S16160-6TG |
| 英文描述： | 4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| 中文描述： | 4米× 16 × 4銀行（256兆）內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 19/69頁 |
| 文件大?。?/td> | 1219K |
| 代理商： | IC42S16160-6TG |
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IC42S16160
Integrated Circuit Solution Inc.
DR037-0A 9/05/2003
19
Address Bits of Bank-Select and Precharge
BA0
BA1
Result
0
0
Select Bank A
“Activate “ command
0
1
Select Bank B
“Activate” command
1
0
Select Bank C
“Activate” command
1
1
Select Bank D
“Activate” command
0
1
Disable Auto-Precharge (End of Burst)
Enable Auto - Precharge (End of Burst)
(Activate command)
A1 A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9 A10 A11 A12 BA0 BA1
A11
BA0 BA1 Result
0
0
0
0
0
1
Precharge Bank A
Precharge Bank B
0
1
0
Precharge Bank C
0
1
1
X
1
X
Precharge Bank D
Precharge All Banks
BA0
BA1
Result
0
0
Enable Read/Write
commands for Bank A
0
1
Enable Read/Write
commands for Bank B
Enable Read/Write
commands for Bank C
Enable Read/Write
commands for Bank D
1
0
1
1
Row
(Precharge command)
A1 A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9 A10 A11 A12 BA0 BA1
Row
(
CAS
strobes)
A1 A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9 A10 A11 A12 BA0 BA1
Co1.
X: Don't care
A0
A0
A0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IC42S16160-6TIG | 4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC42S16160-7TG | 4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC42S16160-7TIG | 4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC43R16160 | 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
| IC43R16160-5T | 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IC42S16160-6TIG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC42S16160-7TG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC42S16160-7TIG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC42S16160B-7TL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IC42S16400 | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks (64-MBIT) SDRAM |
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