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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IC42S16160-6TG |
| 英文描述： | 4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| 中文描述： | 4米× 16 × 4銀行（256兆）內(nèi)存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 61/69頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1219K |
| 代理商： | IC42S16160-6TG |
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IC42S16160
Integrated Circuit Solution Inc.
DR037-0A 9/05/2003
61
Full Page Read Cycle (2 of 2)
BS1=”L”, Bank C,D = Idle
T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A10
ADD
DQM
DQ
tCK3
Burst Length=Full Page, CAS Latency=3
Activate
Command
Bank A
Read
Hi-Z
Command
Bank A
Ra
QAa+1
The burst counter wraps
from the highest order
page address back to zero
during this time interval
Burst Stop
Command
Read
Command
Bank B
QAa
Full page burst operation
does not teminate when
the burst length is satisfied;
the burst counter increments
and continues bursting
beginning with the starting
address
Ra
Ca
Rb
High
Activate
Command
Bank B
Ra
Rb
Ca
QAa+2 QAa-2 QAa-1
QAa
QAa+1 QBa0
QBa+1 QBa+2QBa+3 QBa+4 QBa+5
Activate
Command
Bank B
Precharge
Command
Bank B
Ra
*BS0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IC42S16160-6TIG | 4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC42S16160-7TG | 4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC42S16160-7TIG | 4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC43R16160 | 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
| IC43R16160-5T | 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IC42S16160-6TIG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC42S16160-7TG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC42S16160-7TIG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC42S16160B-7TL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IC42S16400 | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks (64-MBIT) SDRAM |
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