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參數(shù)資料
| 型號： | IC42S16160-6TG |
| 英文描述： | 4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| 中文描述： | 4米× 16 × 4銀行（256兆）內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 67/69頁 |
| 文件大?。?/td> | 1219K |
| 代理商： | IC42S16160-6TG |
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IC42S16160
Integrated Circuit Solution Inc.
DR037-0A 9/05/2003
67
Precharge Termination of a Burst (1 of 2)
BS1=”L”, Bank C,D = Idle
T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A10
ADD
DQM
DQ
tCK2
Burst Length=8, CAS Latency=2
Activate
Command
Bank A
Write
Hi-Z
Command
Bank A
RAa
Activate
Command
Bank A
Read
Command
Bank A
RAc
CAb
RAb
RAb
RAc
Precharge Termination
of a Write Burst. Write
data is masked.
Precharge
Command
Bank A
Read
Command
Bank A
Precharge
Command
Bank A
Precharge Termination
of a Read Burst.
High
RAa
CAc
CAa
QAa1
QAa0
QAa2
Da3
QAb0
QAb1
QAb2
QAc0
QAc1
QAc2
tDPL
tRP
tRP
tRP
Activate
Command
Bank A
Precharge
Command
Bank A
*BS0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IC42S16160-6TIG | 4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC42S16160-7TG | 4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC42S16160-7TIG | 4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC43R16160 | 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
| IC43R16160-5T | 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IC42S16160-6TIG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC42S16160-7TG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC42S16160-7TIG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC42S16160B-7TL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IC42S16400 | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks (64-MBIT) SDRAM |
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