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參數(shù)資料
| 型號： | IC42S16160-7TG |
| 英文描述： | 4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| 中文描述： | 4米× 16 × 4銀行（256兆）內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 7/69頁 |
| 文件大小： | 1219K |
| 代理商： | IC42S16160-7TG |
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IC42S16160
Integrated Circuit Solution Inc.
DR037-0A 9/05/2003
7
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(At T
A
= 0 ~ 70°C, V
DD
= V
DDQ
= 3.3 ± 0.3V, V
SS
= V
SSQ
= 0V , unless otherwise note
d
)
Symbol Parameter
Test Condition
Speed
Min.
Max.
Unit
I
CC
1
(1)
Operating Current
One Bank
active
,
Burst Length=1
t
RC
= t
RC
(min.)
t
CLK
= t
CLK
(min.)
CKE < V
IL
(
MAX
)
CAS
latency = 3
-6
-7
—
—
90
80
mA
mA
I
CC
2P
Precharge Standby Current
(In Power-Down Mode)
t
CK
= 15 ns
-6
-7
-6
-7
-6
-7
-6
-7
-6
-7
-6
-7
-6
-7
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2
2
1
1
55
45
5
5
10
10
65
55
170
150
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
CC
2PS
CKE < V
IL
(
MAX
)
CLK < V
IL
(
MAX
)
I
CC
2N
(2)
Precharge Standby Current
(In Non Power-Down Mode)
CS
> V
CC
-0.2V
CKE > V
IH
(
MIN
)
CS > V
CC
-0.2V
CKE > V
IH
(
MIN
)
All input signals are stable.
CKE < V
IL
(
MAX
)
t
CK
= min
t
CK
= min
I
CC
2NS
CKE < V
IL
(
MAX
)
I
CC
3P
Active Standby Current
(In Power-Down Mode)
Active Standby Current
(In Non Power-Down Mode)
Operating Current
(In Burst Mode)
I
CC
3N
(2)
CS > V
CC
-0.2V
CKE > V
IH
(
MIN
)
All Banks active
Burst Length=1
t
CK
= t
CK
(
MIN
)
t
RC
= t
RC
(
MIN
)
t
CLK
= t
CLK
(
MIN
)
CKE < 0.2V
t
CK
= min
I
CC
4
CAS
latency = 3
I
CC
5
Auto-Refresh Current
-6
-7
-6
-7
—
—
—
—
–5
270
240
3
3
5
mA
mA
mA
mA
μA
I
CC
6
(3, 4)
Self-Refresh Current
I
IL
Input Leakage Current
(Inputs)
Output Leakage Current
(I/O pins)
High Level Output Voltage
Low Level Output Voltage
0V < V
IN
< V
DD
(
MAX
)
Pins not under test = 0V
Output is disabled
DQ# in H - Z.,
0V < V
OUT
< V
DD
(
MAX
)
I
OUT
= –2 mA
I
OUT
= +2 mA
I
OL
–5
5
μA
V
OH
V
OL
2.4
—
—
0.4
V
V
Notes:
1. I
CC
(max) is specified at the output open condition.
2. Input signals are changed one time during 30ns.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IC42S16160-7TIG | 4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC43R16160 | 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
| IC43R16160-5T | 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
| IC43R16160-5TG | 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
| IC43R16160-6T | 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IC42S16160-7TIG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC42S16160B-7TL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IC42S16400 | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks (64-MBIT) SDRAM |
| IC42S16400-6BG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks (64-MBIT) SDRAM |
| IC42S16400-6BIG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks (64-MBIT) SDRAM |
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