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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IC42S16160-7TIG |
| 英文描述： | 4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| 中文描述： | 4米× 16 × 4銀行（256兆）內(nèi)存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 55/69頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1219K |
| 代理商： | IC42S16160-7TIG |
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IC42S16160
Integrated Circuit Solution Inc.
DR037-0A 9/05/2003
55
Interleaved Column Write Cycle (2 of 2)
BS1=”L”, Bank C,D = Idle
T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A10
ADD
DQM
DQ
tCK3
Burst Length=4, CAS Latency=3
Activate
Command
Bank A
Hi-Z
QBb1
QBd0
QAa0 QAa1 QAa2QAa3 QBa0 QBa1
QBd1
Precharge
Command
Bank A
Ra
Ra
Ra
Ca
Ra
Ca
Cb
Cc
Cb
QAb1
QBc0 QBc1
Write
Command
Bank A
Write
Command
Bank B
QBb0
QAb0
Write
Command
Bank B
Write
Command
Bank B
Write
Command
Bank A
Write
Command
Bank B
tRRD
Activate
Command
Bank B
tRCD
Cd
tDPL
tRP
QBd2 QBd3
tDPL
Precharge
Command
Bank B
*BS0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IC43R16160 | 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
| IC43R16160-5T | 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
| IC43R16160-5TG | 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
| IC43R16160-6T | 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
| IC43R16160-6TG | 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IC42S16160B-7TL | 制造商:ISSI 制造商全稱(chēng):Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IC42S16400 | 制造商:ICSI 制造商全稱(chēng):Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks (64-MBIT) SDRAM |
| IC42S16400-6BG | 制造商:ICSI 制造商全稱(chēng):Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks (64-MBIT) SDRAM |
| IC42S16400-6BIG | 制造商:ICSI 制造商全稱(chēng):Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks (64-MBIT) SDRAM |
| IC42S16400-6T | 制造商:ICSI 制造商全稱(chēng):Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks (64-MBIT) SDRAM |
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