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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IC42S16160-7TIG |
| 英文描述： | 4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| 中文描述： | 4米× 16 × 4銀行（256兆）內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 58/69頁 |
| 文件大?。?/td> | 1219K |
| 代理商： | IC42S16160-7TIG |
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IC42S16160
58
Integrated Circuit Solution Inc.
DR037-0A 9/05/2003
Auto Precharge after Write Burst (1 of 2)
BS1=”L”, Bank C,D = Idle
T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A10
ADD
DQM
DQ
tCK2
Burst Length=4, CAS Latency=2
Activate
Command
Bank A
Hi-Z
QBa3
QBb0
QAa0 QAa1 QAa2 QAa3 QBa0 QBa1
QBb1
Ra
Ra
Ra
QAb3
QAb0 QAb1
Write
Command
Bank A
Write with
Auto Precharge
Command
Bank B
QBa2
QAb2
Write with
Auto Precharge
Command
Bank A
Activate
Command
Bank B
Write with
Auto Precharge
Command
Bank B
Activate
Command
Bank B
QBb2 QBb3
Rb
Ra
Ca
Cb
Ca
Rb
Cb
Start Auto Precharge
Bank B
Start Auto Precharge
Bank A
Start Auto Precharge
Bank B
High
Rc
Rc
Cc
QAc0 QAc1 QAc2 QAc3
Activate
Command
Bank A
Write with
Auto Precharge
Bank A
Start Auto
Precharge
Bank A
*BS0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IC43R16160 | 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
| IC43R16160-5T | 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
| IC43R16160-5TG | 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
| IC43R16160-6T | 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
| IC43R16160-6TG | 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IC42S16160B-7TL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IC42S16400 | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks (64-MBIT) SDRAM |
| IC42S16400-6BG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks (64-MBIT) SDRAM |
| IC42S16400-6BIG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks (64-MBIT) SDRAM |
| IC42S16400-6T | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks (64-MBIT) SDRAM |
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