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參數(shù)資料
| 型號： | IC43R16160-5T |
| 英文描述： | 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
| 中文描述： | 4米× 16位× 4個銀行（256兆）DDR SDRAM內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 17/56頁 |
| 文件大?。?/td> | 1271K |
| 代理商： | IC43R16160-5T |
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Burst Write Timing
Once the burst of write data is concluded and given that no subsequent burst write operations are initiated,
the data strobe signal (DQS) transitions from a logic low level back to Hi-Z. This is referred to as the data
strobe “write postamble”. This transition happens nominally one-half clock period after the last data of the
burst cycle is latched into the device.
(CAS Latency = Any; Burst Length = 4)
T0
T1
T2
T3
T4
WRITE
NOP
NOP
NOP
D
0
D
1
D
2
D
3
CK, CK
Command
DQS(nom)
DQ(nom)
t
WPRES
t
WPREH
t
DQSS
t
WPST
t
QDQSH
D
0
D
1
D
2
D
3
DQS(min)
DQ(min)
t
DQSS
(min)
D
0
D
1
D
2
D
3
DQS(max)
DQ(max)
t
WPRES
(min)
t
DQSS
(max)
t
QDQSS
t
QDQSS
t
QDQSH
t
WPREH
(min)
t
WPREH
(max)
t
WPRES
(max)
IC4
3R16160
Integrated Circuit Solution Inc.
DDR001-0B
1
1
/
10
/
2004
17
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IC43R16160-5TG | 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
| IC43R16160-6T | 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
| IC43R16160-6TG | 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
| IC43R16160-7T | 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
| IC43R16160-7TG | 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IC43R16160-5TG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
| IC43R16160-6T | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
| IC43R16160-6TG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
| IC43R16160-7T | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
| IC43R16160-7TG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
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