參數(shù)資料
型號(hào)： IC43R16160-6T
英文描述： 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM
中文描述： 4米× 16位× 4個(gè)銀行（256兆）DDR SDRAM內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 34/56頁(yè)
文件大?。?/td> 1271K
代理商： IC43R16160-6T
AC CHARACTERISTICS
PARAMETER
SYMBOL
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
UNITS
NOTES
DQS write postamble
t
WPST
0.4
0.6
0.4
0.4
t
CK
19
Write recovery time
t
WR
15
15
15
ns
Internal WRITE to READ
command delay
t
WTR
2
2
2
t
CK
Average periodic refresh interval
t
REFI
7.8
7.8
7.8
us
Terminating voltage delay to VDD
t
VTD
0
0
0
ns
Exit SELF REFRESH to non-
READ command
t
XSNR
200
200
200
t
CK
t
QH -
t
DQSQ
Data valid output window
na
ns
25
-7
-5
-6
t
QH -
t
DQSQ
t
QH -
t
DQSQ
IC4
3R16160
34
Integrated Circuit Solution Inc.
DDR001
-
0B
1
1
/
10
/
2004
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IC43R16160-6TG 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM
IC43R16160-7T 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM
IC43R16160-7TG 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM
ICS570 Multiplier and Zero Delay Buffer
ICS671M-01 Zero Delay, Low Skew Buffer and Multipler
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參數(shù)描述
IC43R16160-6TG 制造商:ICSI 制造商全稱(chēng):Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM
IC43R16160-7T 制造商:ICSI 制造商全稱(chēng):Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM
IC43R16160-7TG 制造商:ICSI 制造商全稱(chēng):Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM
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