參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70V19L20PF
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 128K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 128K X 9 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁數(shù)： 1/17頁
文件大?。?/td> 265K
代理商： IDT70V19L20PF
2003 Integrated Device Technology, Inc.
1
SEPTEMBER 2003
DSC-4853/4
I/O
Control
Address
Decoder
128Kx9
MEMORY
ARRAY
70V19
ARBITRATION
INTERRUPT
SEMAPHORE
LOGIC
CE
0L
CE
OE
L
R/
W
L
A
16L
A
0L
I/O
0-8L
SEM
L
INT
L
(2)
BUSY
L
(1,2)
R/
W
L
CE
0L
CE
1L
OE
L
I/O
Control
Address
Decoder
OE
R
R/
W
R
CE
0R
CE
A
16R
A
0R
I/O
0-8R
SEM
R
INT
R
(2)
R
BUSY
(1,2)
M/
S
(1)
R/
W
R
CE
0R
CE
1R
OE
R
4853 drw 01
1L
1R
17
17
Functional Block Diagram
◆
M/
S
= V
IH
for
BUSY
output flag on Master,
M/
S
= V
IL
for
BUSY
input on Slave
◆
Busy and Interrupt Flags
◆
On-chip port arbitration logic
◆
Full on-chip hardware support of semaphore signaling
between ports
◆
Fully asynchronous operation from either port
◆
LVTTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply
◆
Available in a 100-pin TQFP
◆
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Features
◆
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
◆
High-speed access
– Commercial: 15/20ns (max.)
– Industrial: 20ns (max.)
◆
Low-power operation
– IDT70V19L
Active: 440mW (typ.)
Standby: 660μW (typ.)
◆
Dual chip enables allow for depth expansion without
external logic
◆
IDT70V19 easily expands data bus width to 18 bits or
more using the Master/Slave select when cascading more
than one device
HIGH-SPEED 3.3V
128K x 9 DUAL-PORT
STATIC RAM
IDT70V19L
NOTES:
1.
2.
BUSY
is an input as a Slave (M/
S
=V
IL
) and an output when it is a Master (M/
S
=V
IH
).
BUSY
and
INT
are non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).
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IDT70V19L20PFI 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V19L20PFI8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
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