參數資料
型號： IHW30N100T
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with anti-parallel diode
中文描述： 低損耗DuoPack：IGBT的在TrenchStop和場終止技術與反并聯(lián)二極管
文件頁數： 3/12頁
文件大小： 360K
代理商： IHW30N100T
Soft Switching Series
IHW30N100T
q
Power Semiconductors
3
Rev. 2.4 May 06
Switching Characteristic, Inductive Load,
at
T
j
=25
°
C
Value
Typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
IGBT Characteristic
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Turn-on energy
Turn-off energy
Total switching energy
Switching Characteristic, Inductive Load,
at
T
j
=175
°
C
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
E
ts
-
-
-
-
-
-
-
50
25
550
48
-
2.1
-
-
-
-
70
-
2.6
-
ns
T
j
=25
°
C,
V
CC
=600V,
I
C
=30A,
V
GE
=0/15V,
R
G
=26.9
,
Energy losses include
“tail” and diode
reverse recovery.
mJ
Value
Typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
IGBT Characteristic
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Turn-on energy
Turn-off energy
Total switching energy
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
E
ts
-
-
-
-
-
-
-
50
40
650
52
-
2.7
-
-
-
-
130
-
4
-
ns
T
j
=175
°
C
V
CC
=600V,
I
C
=30A,
V
GE
=0/15V,
R
G
= 26.9
Energy losses include
“tail” and diode
reverse recovery.
mJ
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PDF描述
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