參數(shù)資料
型號(hào)： IHW40T120
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
中文描述： 在IGBT的溝槽場(chǎng)終止技術(shù)和軟，恢復(fù)快反平行何快恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 2/14頁(yè)
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代理商： IHW40T120
^
Thermal Resistance
IHW40T120
Soft Switching Series
Power Semiconductors
2
Rev. 2 Mar-04
Parameter
Symbol
Conditions
Max. Value
Unit
Characteristic
IGBT thermal resistance,
junction – case
Diode thermal resistance,
junction – case
Thermal resistance,
junction – ambient
Electrical Characteristic,
at
T
j
= 25
°
C, unless otherwise specified
R
thJC
0.45
R
thJCD
1.1
R
thJA
TO-247AC
40
K/W
Value
Typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
Static Characteristic
Collector-emitter breakdown voltage
Collector-emitter saturation voltage
V
(BR)CES
V
CE(sat)
V
GE
=0V,
I
C
=1.5mA
V
GE
= 15V,
I
C
=40A
T
j
=25
°
C
T
j
=125
°
C
T
j
=150
°
C
V
GE
=0V,
I
F
=18A
T
j
=25
°
C
T
j
=125
°
C
T
j
=150
°
C
I
C
=1.5mA,
V
CE
=
V
GE
V
CE
=1200V
,
V
GE
=0V
T
j
=25
°
C
T
j
=150
°
C
1200
-
-
-
-
-
1.8
2.1
2.3
2.3
-
-
Diode forward voltage
V
F
1.65
1.7
1.7
2.15
Gate-emitter threshold voltage
Zero gate voltage collector current
V
GE(th)
I
CES
5.0
-
-
-
-
5.8
-
-
-
21
6
6.5
0.4
4.0
600
-
V
mA
Gate-emitter leakage current
Transconductance
Integrated gate resistor
I
GES
g
fs
R
Gint
V
CE
=0V,
V
GE
=20V
V
CE
=20V,
I
C
=40A
nA
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IK-540A Toshiba IK-540A Camera
IKA10N60T IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
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參數(shù)描述
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IHW40T120FKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 1200V 75A 270W TO247-3
IHW40T60 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT TrnchStp w/Soft Fast Recovery RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IHW40T60FKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 600V 80A 303W TO247-3
IHY15N120R3 功能描述:IGBT 晶體管 Reverse Conducting IGBT Monolithic Body RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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