參數(shù)資料
型號： IHW40T120
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
中文描述： 在IGBT的溝槽場終止技術(shù)和軟，恢復(fù)快反平行何快恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 9/14頁
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代理商： IHW40T120
^
IHW40T120
Soft Switching Series
Power Semiconductors
9
Rev. 2 Mar-04
V
G
,
G
-
E
0nC
50nC
100nC
150nC
200nC
250nC
0V
5V
10V
15V
960V
240V
c
C
0V
10V
20V
10pF
100pF
1nF
C
rss
C
oss
C
iss
Q
GE
,
GATE CHARGE
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 18. Typical capacitance as a function
of collector-emitter voltage
(
V
GE
=0V,
f
= 1 MHz)
Figure 17. Typical gate charge
(
I
C
=40 A)
t
S
,
S
12V
14V
16V
0μs
5μs
10μs
15μs
I
C
,
C
12V
14V
16V
18V
0A
100A
200A
300A
V
GE
,
GATE
-
EMITTETR VOLTAGE
Figure 19. Short circuit withstand time as a
function of gate-emitter voltage
(
V
CE
=600V
,
start at
T
J
=
25°C
)
V
GE
,
GATE
-
EMITTETR VOLTAGE
Figure 20. Typical short circuit collector
current as a function of gate-
emitter voltage
(
V
CE
≤
600V,
T
j
≤
150
°
C)
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PDF描述
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