參數(shù)資料
型號： IKB15N60T
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
中文描述： 在IGBT的溝槽場終止技術(shù)和軟，恢復快反平行何快恢復二極管
文件頁數(shù)： 4/13頁
文件大?。?/td> 398K
代理商： IKB15N60T
TrenchStop Series
IKB15N60T
q
Power Semiconductors
4
Rev. 2.1 Dec-04
I
C
,
C
10Hz
100Hz
1kHz
10kHz
100kHz
0A
10A
20A
30A
40A
T
C
=110°C
T
C
=80°C
I
C
,
C
1V
10V
100V
1000V
0.1A
1A
10A
10μs
50μs
1ms
DC
t
p
=2μs
10ms
f
,
SWITCHING FREQUENCY
Figure 1. Collector current as a function of
switching frequency
(
T
j
≤
175
°
C,
D =
0.5,
V
CE
= 400V,
V
GE
= 0/+15V,
R
G
= 15
)
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 2. Safe operating area
(
D =
0,
T
C
= 25
°
C,
T
j
≤
175
°
C;
V
GE
=15V)
P
t
,
P
25°C
50°C
75°C
100°C 125°C 150°C
0W
20W
40W
60W
80W
100W
120W
I
C
,
C
25°C
75°C
125°C
0A
10A
20A
30A
T
C
,
CASE TEMPERATURE
T
C
,
CASE TEMPERATURE
Figure 3. Power dissipation as a function of
case temperature
(
T
j
≤
175
°
C)
Figure 4. Collector current as a function of
case temperature
(
V
GE
≥
15V,
T
j
≤
175
°
C)
I
c
I
c
相關PDF資料
PDF描述
IKP01N120H2 HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
IKP04N60T Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
IKP06N60T Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
IKP15N60T Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
IKW15T120 LOW LOSS DUOPACK : IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY WITH SOFT, FAST RECOVERY ANTI-PARALLEL EMCON HE DIODE
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IKB15N60TATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 600V 30A 130W TO263-3
IKB20N60H3 功能描述:IGBT 晶體管 600v Hi-Speed SW IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IKB20N60H3ATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 600V 20A 170W TO263-3
IKB20N60T 功能描述:IGBT 晶體管 LOW LOSS DuoPack 600V 20A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IKB20N60TA 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT PRODUCTS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*