參數(shù)資料
型號： IKW15T120
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： LOW LOSS DUOPACK : IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY WITH SOFT, FAST RECOVERY ANTI-PARALLEL EMCON HE DIODE
中文描述： 低損耗DUOPACK：在戰(zhàn)壕和場終止技術(shù)IGBT的軟，恢復(fù)快，抗何并行快恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 10/15頁
文件大?。?/td> 450K
代理商： IKW15T120
IKW15T120
^
TrenchStop Series
Power Semiconductors
10
Preliminary / Rev. 1 Jul-02
V
C
,
C
-
E
0V
200V
400V
600V
0A
10A
20A
30A
1.5us
1us
0.5us
0us
I
C
V
CE
I
C
,
C
0V
200V
400V
600V
0A
10A
20A
30A
1.5us
1us
0.5us
0us
I
C
V
CE
t
,
TIME
t
,
TIME
Figure 21. Typical turn on behavior
(V
GE
=0/15V,
R
G
=56
,
T
j
= 150
°
C,
Dynamic test circuit in Figure E)
Figure 22. Typical turn off behavior
(V
GE
=15/0V,
R
G
=56
,
T
j
= 150
°
C,
Dynamic test circuit in Figure E)
Z
t
,
T
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
10
-2
K/W
10
-1
K/W
10
0
K/W
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D
=0.5
Z
t
,
T
10μs
100μs
t
P
,
PULSE WIDTH
1ms
10ms
100ms
10
-2
K/W
10
-1
K/W
10
0
K/W
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D
=0.5
t
P
,
PULSE WIDTH
Figure 23. IGBT transient thermal resistance
(
D = t
p
/
T
)
Figure 24. Diode transient thermal
impedance as a function of pulse
width
(
D
=
t
P
/
T
)
R
,(K/W )
0.121
0.372
0.381
0.226
R
1
τ
,
(s)
=
1.73*10
-1
2.75*10
-2
2.57*10
-3
2.71*10
-4
C
1
=
τ
1
/
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/
R
2
R
,(K/W )
0.360
0.477
0.434
0.224
R
1
τ
,
(s)
=
7.30*10
-2
8.13*10
-3
1.09*10
-3
1.55*10
-4
C
1
=
τ
1
/
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/
R
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IKW30N60T Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
IKW75N60T Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
IL201 PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLER
IL205A SMALL OUTLINE SURFACE MOUNT PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLER
IL206A SMALL OUTLINE SURFACE MOUNT PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IKW15T120 E8161 功能描述:IGBT 晶體管 LOW LOSS DuoPack 1200V 15A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IKW15T120_08 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:TrenchStop Series
IKW15T120FKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 1200V 30A 110W TO247-3
IKW20N60H3 功能描述:IGBT 晶體管 600V 20A 170W RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IKW20N60H3FKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 600V 40A 170W TO247-3
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*