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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ILA03N60 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | LightMOS Power Transistor |
| 中文描述： | LightMOS功率晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/15頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 330K |
| 代理商： | ILA03N60 |
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ILA03N60, ILP03N60
ILB03N60, ILD03N60
^
Power Semiconductors
10
Rev. 1.2 Apr-04
I
F
,
F
0.0V
0.5V
1.0V
1.5V
0A
1A
2A
3A
4A
100°C
150°C
-55°C
25°C
V
F
,
F
-40°C
0°C
40°C
80°C
120°C
0.9V
1.0V
1.1V
1.2V
1.3V
1.4V
1.5V
1.6V
1.7V
I
F
=1A
I
F
=0.5A
I
F
=2A
I
F
=4A
V
F
,
FORWARD VOLTAGE
T
j
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 21. Typical diode forward voltage as
a function of junction temperature
Figure 20. Typical diode forward current as
a function of forward voltage
C
,
C
0V
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 19. Typical capacitance as a
function of collector-emitter voltage
(
V
GE
= 0V,
f
= 1MHz)
10V
20V
30V
40V
10pF
100pF
C
rss
C
oss
C
iss
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