參數(shù)資料
型號(hào)： ILP03N60
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： LightMOS Power Transistor
中文描述： LightMOS功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 8/15頁(yè)
文件大?。?/td> 330K
代理商： ILP03N60
ILA03N60, ILP03N60
ILB03N60, ILD03N60
^
Power Semiconductors
8
Rev. 1.2 Apr-04
20
40
60
80
100
120
10μJ
12μJ
14μJ
16μJ
18μJ
20μJ
22μJ
24μJ
26μJ
28μJ
30μJ
32μJ
34μJ
E
off
E
on
*
E
off, C
Snubber
=1nF
E
,
S
50°C
100°C
150°C
5μJ
10μJ
15μJ
20μJ
25μJ
30μJ
35μJ
E
off, C
Snubber
=1nF
E
on
*
E
off
R
G
,
GATE RESISTOR
T
j
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 15. Typical switching energy losses
as a function of junction temperature
(inductive load,
V
CE
= 400V,
V
GE
= 0/+10V,
I
C
= 1A,
R
G
= 80
,
C
Snubber
=0/1nF
Dynamic test circuit in Figure E)
Figure 14. Typical switching energy losses
as a function of gate resistor
(inductive load,
T
j
= 150
°
C,
V
CE
= 400V,
V
GE
= 0/+10V,
I
C
= 1A,
C
Snubber
=0/1nF
Dynamic test circuit in Figure E)
V
G
,
G
-
E
0nC
2nC
4nC
6nC
8nC
10nC
12nC
0V
2V
4V
6V
8V
10V
12V
14V
480V
120V
V
G
,
G
-
E
0nC
2nC
4nC
6nC
8nC
10nC
12nC
0V
2V
4V
6V
8V
10V
12V
14V
480V
120V
Q
GE
,
GATE CHARGE
Q
GE
,
GATE CHARGE
Figure 16. Typical gate charge
(
I
C
= 0.8A)
Figure 17. Typical gate charge
(
I
C
= 3A)
*)
E
includes losses
due to diode recovery.
*)
E
on
includes losses
due to diode recovery.
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ILP3FAD2L0B 功能描述:按鈕開(kāi)關(guān) RoHS:否 制造商:C&K Components 觸點(diǎn)形式:2 NC - 2 NO 開(kāi)關(guān)功能:ON ? OFF 電流額定值:4 A 電壓額定值 AC:12 V to 250 V 電壓額定值 DC:12 V to 50 V 功率額定值: 安裝風(fēng)格:Through Hole 照明:Illuminated 照明顏色:None IP 等級(jí):IP 40 端接類型:Solder 觸點(diǎn)電鍍:Silver 執(zhí)行器:Square 蓋顏色: 封裝: 可燃性等級(jí):UL 94 V-0
ILP3FAD2L0G 功能描述:按鈕開(kāi)關(guān) RoHS:否 制造商:C&K Components 觸點(diǎn)形式:2 NC - 2 NO 開(kāi)關(guān)功能:ON ? OFF 電流額定值:4 A 電壓額定值 AC:12 V to 250 V 電壓額定值 DC:12 V to 50 V 功率額定值: 安裝風(fēng)格:Through Hole 照明:Illuminated 照明顏色:None IP 等級(jí):IP 40 端接類型:Solder 觸點(diǎn)電鍍:Silver 執(zhí)行器:Square 蓋顏色: 封裝: 可燃性等級(jí):UL 94 V-0
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