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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRF1312SPbF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/11頁(yè) |
| 文件大小： | 286K |
| 代理商： | IRF1312SPBF |
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
!
" #"! !
#$%
&'
#$#()
"
!*+
!' **'",
-.*#) # !
Fig 14.
For N-channel
HEXFET
power MOSFETs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF1503SPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF1704 | Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=170A) |
| IRF1730G | Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.0ohm, Id=3.7A) |
| IRFI730G | HEXFET POWER MOSFET |
| IRF2204LPBF | HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 3.6mヘ , ID = 170A ) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF1312STRL | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRF1312STRR | 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 95A I(D) | TO-263AB |
| IRF131R | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-204AA |
| IRF132 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF1324LPBF | 功能描述:MOSFET 24V 1 N-CH HEXFET 1.65mOhms 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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