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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRF2204SPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 3.6mヘ , ID = 170A ) |
| 中文描述： | ㈢的HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 40V的，的RDS（on）\u003d 3.6米ヘ，身份證\u003d 170A章） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 260K |
| 代理商： | IRF2204SPBF |
IRF2204S/LPbF
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
150
300
450
600
750
900
Starting Tj, Junction Temperature
( C)
E
A
ID
52A
91A
130A
TOP
BOTTOM
Fig 14.
Threshold Voltage Vs. Temperature
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175 200
TJ , Temperature ( °C )
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
VG
ID = 250μA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF2805LPbF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF2805SPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF2805L | ER 4C 4#12 PIN RECP WALL |
| IRF2805S | AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRF2807LPbF | HEXFET Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF2204STRL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 170A I(D) | TO-263AB |
| IRF2204STRR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 170A I(D) | TO-263AB |
| IRF221 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF222 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-3 |
| IRF223 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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