參數(shù)資料
型號: IRF2903ZPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: AUTOMOTIVE MOSFET
中文描述: 汽車MOSFET的
文件頁數(shù): 9/10頁
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代理商: IRF2903ZPBF
www.irf.com
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TO-220AB package is not recommended for Surface Mount Application.
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PDF描述
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參數(shù)描述
IRF2903ZPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:Mosfet IC 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 30V, 75A TO-220AB
IRF2903ZS 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRF2903ZSPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.4mOhms 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF2903ZSTRLP 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 260A 2.4mOhm 160nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF2903ZSTRRP 功能描述:MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件