參數(shù)資料
型號(hào): IRF3710ZPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: AUTOMOTIVE MOSFET
中文描述: 汽車(chē)MOSFET的
文件頁(yè)數(shù): 8/12頁(yè)
文件大小: 323K
代理商: IRF3710ZPBF
8
www.irf.com
Fig 17.
for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diodedv/dt
Ripple
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
!"!!
!"!!%"
#$$
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
&'
#
≤ 1
(
≤ 0.1 %
+
-
Fig 18a.
Switching Time Test Circuit
Fig 18b.
Switching Time Waveforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3710ZSPBF AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3710 Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=23mohm, Id=57A)
IRF3717PBF HEXFET Power MOSFET
IRF3805LPbF AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3805PBF AUTOMOTIVE MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF3710ZSHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF3710ZSPBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 82nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3710ZSTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3710ZSTRRPBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 82nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube