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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRF450 |
| 廠商： | SEMELAB LTD |
| 元件分類(lèi)： | JFETs |
| 英文描述： | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 中文描述： | 13 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/7頁(yè) |
| 文件大小： | 56K |
| 代理商： | IRF450 |
6
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 15. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 16. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
FIGURE 17. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 18. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
FIGURE 19. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 20. GATE CHARGE WAVEFORMS
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
V
GS
R
L
R
G
DUT
+
-
V
DD
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
0.3
μ
F
12V
BATTERY
50k
V
DS
S
DUT
D
G
I
g(REF)
0
(ISOLATED
SUPPLY)
V
DS
0.2
μ
F
CURRENT
REGULATOR
I
D
CURRENT
SAMPLING
RESISTOR
I
G
CURRENT
SAMPLING
RESISTOR
SAME TYPE
AS DUT
Q
g(TOT)
Q
gd
Q
gs
V
DS
0
V
GS
V
DD
I
G(REF)
0
IRF450
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF460 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
| IRF460 | TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=500V, Rds(on)=0.27ohm, Id=21) |
| IRF511 | RES 4.75K-OHM 1% 0.125W 100PPM THICK-FILM SMD-0805 5K/REEL-7IN-PA |
| IRF510 | 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
| IRF510 | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF450 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET TRANSISTOR |
| IRF450_10 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱(chēng):Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFET |
| IRF450R | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-204AA |
| IRF451 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF451R | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-204AA |
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