參數(shù)資料
型號(hào): IRF510
廠商: HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類: JFETs
英文描述: 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET
中文描述: 5.6 A, 100 V, 0.54 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁(yè)數(shù): 4/5頁(yè)
文件大小: 151K
代理商: IRF510
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF510 Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)
IRF510 N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
IRF510-513 N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
IRF512 N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
IRF513 N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF510_R4941 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF510-513 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
IRF510A 功能描述:MOSFET 100V .2 OHM 33W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF510A_Q 功能描述:MOSFET 100V .2 Ohm 33W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF510L 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube