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參數(shù)資料
| 型號： | IRF510 |
| 廠商： | Supertex, Inc. |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
| 中文描述： | N溝道增強型立式DMOS功率場效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 151K |
| 代理商： | IRF510 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF511 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
| IRF512 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
| IRF513 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
| IRF521 | N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V |
| IRF120 | RESISTOR 22 OHM 20W TO220 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF510_R4941 | 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF510-513 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V |
| IRF510A | 功能描述:MOSFET 100V .2 OHM 33W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF510A_Q | 功能描述:MOSFET 100V .2 Ohm 33W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF510L | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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