參數(shù)資料
型號(hào)： IRF510
廠商： Supertex, Inc.
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs
中文描述： N溝道增強(qiáng)型立式DMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 5/5頁(yè)
文件大小： 151K
代理商： IRF510
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF511 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs
IRF512 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs
IRF513 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs
IRF521 N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
IRF120 RESISTOR 22 OHM 20W TO220
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF510_R4941 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF510-513 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
IRF510A 功能描述:MOSFET 100V .2 OHM 33W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF510A_Q 功能描述:MOSFET 100V .2 Ohm 33W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF510L 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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