型號: | IRF630B |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 200V N-Channel MOSFET |
中文描述: | 9 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
封裝: | TO-220, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 1/10頁 |
文件大小: | 859K |
代理商: | IRF630B |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
IRFS634B | 250V N-Channel MOSFET |
IRF634B | 250V N-Channel MOSFET |
IRFS640A | N-Channel Power MOSFET(200V,0.18Ω,9.8A)(N溝道功率MOS場效應管(漏源電壓200V,導通電阻0.18Ω,漏電流9.8)) |
IRFS710A | N-Channel Power MOSFET(400V,3.6Ω,1.6A)(N溝道功率MOS場效應管(漏源電壓400V,導通電阻3.6Ω,漏電流1.6A)) |
IRFS730A | N-Channel Power MOSFET(400V,1.0Ω,3.9A)(N溝道功率MOS場效應管(漏源電壓400V,導通電阻1.0Ω,漏電流3.9A)) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
IRF630B_FP001 | 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF630BTSTU | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
IRF630BTSTU_FP001 | 功能描述:MOSFET 200V N-CHAN Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF630F | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:N-channel mosfet transistor |
IRF630FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |