參數(shù)資料
型號(hào)： IRF630B
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 200V N-Channel MOSFET
中文描述： 9 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大?。?/td> 859K
代理商： IRF630B
Rev. B, December 2002
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
I
Typical Characteristics
(Continued)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
※
Notes :
(t) = 1.74
℃
/W M ax.
2. D uty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
single pulse
D =0.5
0.02
0.2
0.05
0.1
0.01
Z
θ
(
t
1
, S quare W ave Pulse D uration [sec]
Figure 11-1. Transient Thermal Response Curve for IRF630B
t
1
P
DM
t
2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
※
Notes :
1. Z
(t) = 3.33
℃
/W M ax.
2. D uty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
sin gle pu lse
D = 0.5
0.02
0.2
0.05
0.1
0.01
Z
θ
(
t
1
, S quare W ave P ulse D uration [sec]
Figure 11-2. Transient Thermal Response Curve for IRFS630B
t
1
P
DM
t
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFS634B 250V N-Channel MOSFET
IRF634B 250V N-Channel MOSFET
IRFS640A N-Channel Power MOSFET（200V，0.18Ω，9.8A）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓200V，導(dǎo)通電阻0.18Ω，漏電流9.8）)
IRFS710A N-Channel Power MOSFET（400V，3.6Ω，1.6A）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓400V，導(dǎo)通電阻3.6Ω，漏電流1.6A）)
IRFS730A N-Channel Power MOSFET（400V，1.0Ω，3.9A）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓400V，導(dǎo)通電阻1.0Ω，漏電流3.9A）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF630BTSTU 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
IRF630BTSTU_FP001 功能描述:MOSFET 200V N-CHAN Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF630F 制造商:ISC 制造商全稱(chēng):Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:N-channel mosfet transistor
IRF630FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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