參數(shù)資料
型號： IRF730A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Power MOSFET(N溝道增強型功率MOS場效應管（漏源電壓為400V，導通電阻為1.5Ω，漏電流為5.5A）)
中文描述： 5.5 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 226K
代理商： IRF730A
IRF730A
400
--
2.0
--
--
--
--
--
0.52
--
--
--
--
--
95
43
15
18
62
22
32
4.6
16.6
--
--
4.0
100
-100
10
100
1.0
--
880
110
52
40
50
140
60
42
--
--
4.03
675
--
--
--
259
1.81
5.5
22
1.5
--
--
Notes;
(1) Repetitive Rating: Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature
(2) L=20mH, I
AS
=5.5A, V
DD
=50V, R
G
=27
, Starting T
J
=25
°
C
(3) I
SD
≤
5.5A, di/dt
≤
140A/
μ
s, V
DD
≤
BV
DSS
, Starting T
J
=25
°
C
(4) Pulse Test: Pulse Width = 250
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
(5) Essentially Independent of Operating Temperature
1&+$11(/
32:(5 026)(7
Electrical Characteristics
(T
C
=25
°
C unless otherwise specified)
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coeff.
Gate Threshold Voltage
Gate-Source Leakage , Forward
Gate-Source Leakage , Reverse
Characteristic
Symbol
Max. Units
Typ.
Min.
Test Condition
Static Drain-Source
On-State Resistance
Forward Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain ( Miller ) Charge
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
BV
DSS
BV/
T
J
V
GS(th)
R
DS(on)
I
GSS
I
DSS
V
V/
°
C
V
nA
μ
A
pF
ns
nC
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
V
GS
=0V,I
D
=250
μ
A
I
D
=250
μ
A
See Fig 7
V
DS
=5V,I
D
=250
μ
A
V
GS
=30V
V
GS
=-30V
V
DS
=400V
V
DS
=320V,T
C
=125
°
C
V
GS
=10V,I
D
=2.75A
(4)
V
DS
=50V,I
D
=2.75A
(4)
V
DD
=200V,I
D
=5.5A,
R
G
=12
See Fig 13
(4) (5)
V
DS
=320V,V
GS
=10V,
I
D
=5.5A
See Fig 6 & Fig 12
(4) (5)
Drain-to-Source Leakage Current
V
GS
=0V,V
DS
=25V,f =1MHz
See Fig 5
Source-Drain Diode Ratings and Characteristics
Continuous Source Current
Pulsed-Source Current
(1)
Diode Forward Voltage
(4)
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
Characteristic
Symbol
Max. Units
Typ.
Min.
Test Condition
--
--
--
--
--
A
V
ns
μ
C
Integral reverse pn-diode
in the MOSFET
T
J
=25
°
C,I
S
=5.5A,V
GS
=0V
T
J
=25
°
C,I
F
=5.5A
di
F
/dt=100A/
μ
s
(4)
相關PDF資料
PDF描述
IRF731 N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V
IRF330 N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF331 N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF332 N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF333 N-CHANNEL POWER MOSFETS
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF730AL 功能描述:MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF730ALPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF730APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF730AS 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF730AS/LPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET (SMPS MOSFET)
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