參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7491
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 516K
代理商： IRF7491
www.irf.com
1
08/30/02
IRF7491
HEXFET
Power MOSFET
R
DS(on)
max
16m
@V
GS
= 10V
z
High frequency DC-DC converters
Benefits
z
Low Gate to Drain Charge to Reduce
Switching Losses
z
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
z
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
Notes
c
through
h
are on page 8
SO-8
Top View
8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
D
D
G
S
A
S
S
A
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Units
V
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
c
A
Maximum Power Dissipation
W
Linear Derating Factor
Peak Diode Recovery dv/dt
e
Operating Junction and
Storage Temperature Range
W/°C
V/ns
°C
dv/dt
T
J
T
STG
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
20
50
Units
°C/W
R
θ
JL
R
θ
JA
Junction-to-Drain Lead
Junction-to-Ambient (PCB Mount) *
-55 to + 150
0.02
4.4
Max.
80
± 20
9.7
h
6.1
77
2.5
V
DSS
80V
I
D
9.7A
PD - 94537
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PDF描述
IRF7492PBF HEXFET Power MOSFET
IRF7492 HEXFET Power MOSFET
IRF7493 HEXFET Power MOSFET
IRF7494 HEXFET Power MOSFET
IRF7506PBF HEXFET Power MOSFET (VDSS=-30V , RDS(on)=O.27ohm)
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參數(shù)描述
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IRF7492PBF 功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 79mOhms 39nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IRF7492TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 3.7A 79mOhm 39nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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