- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384492 > IRF7807VD1 (International Rectifier) Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:SP06; Number of Contacts:5; Connector Shell Size:14; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Body Style:Straight PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRF7807VD1 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 元件分類： | 圓形連接器 |
| 英文描述： | Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:SP06; Number of Contacts:5; Connector Shell Size:14; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Body Style:Straight |
| 中文描述： | FETKY⑩MOSFET的/肖特基二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 165K |
| 代理商： | IRF7807VD1 |
IRF7807D1
www.irf.com
7
SO-8 Part Marking
SO-8 Package Details
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7807VD2 | Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:SP08; No. of Contacts:5; Connector Shell Size:14; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Right Angle Plug |
| IRF7807 | Chip-Set for DC-DC Converters |
| IRF7807A | Chip-Set for DC-DC Converters |
| IRF7807D2 | MOSFET / SCHOTTKY DIODE |
| IRF7831 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF7807VD1PBF | 功能描述:MOSFET FETKY 30V VBRDSS 25mOhms 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7807VD1TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF7807VD1TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 8.3A 25mOhm 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7807VD2 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF7807VD2PBF | 功能描述:MOSFET 30V FETKY 30 VBRD 25mOhms 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。