參數(shù)資料
型號(hào): IRF823
廠(chǎng)商: Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述: N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V
中文描述: N溝道功率MOSFET,3.0甲,450 V/500 V
文件頁(yè)數(shù): 2/5頁(yè)
文件大小: 157K
代理商: IRF823
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF422 N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V
IRF423 N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V
IRF440 N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V
IRF441 N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF442 N-CHANNEL POWER MOSFETS
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參數(shù)描述
IRF823R 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB
IRF8252PBF 功能描述:MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 2.7mOhms 35nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF8252TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 25V 25A 2.7mOhm 35nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF82FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
IRF830 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube