- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄379235 > IRF823 (Fairchild Semiconductor Corporation) N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRF823 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V |
| 中文描述： | N溝道功率MOSFET，3.0甲，450 V/500 V |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 157K |
| 代理商： | IRF823 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF422 | N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V |
| IRF423 | N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V |
| IRF440 | N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V |
| IRF441 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF442 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF823R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB |
| IRF8252PBF | 功能描述:MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 2.7mOhms 35nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF8252TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 25V 25A 2.7mOhm 35nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF82FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS |
| IRF830 | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。