參數(shù)資料
型號(hào)： IRF830B
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 500V N-Channel MOSFET
中文描述： 4.5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 8/10頁(yè)
文件大?。?/td> 888K
代理商： IRF830B
Rev. A, November 2001
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
I
Package Dimensions
4.50
±
0.20
9.90
±
0.20
1.52
±
0.10
0.80
±
0.10
2.40
±
0.20
10.00
±
0.20
1.27
±
0.10
3.60
±
0.10
(8.70)
2
±
0
1
±
0
1
±
0
1
(
(
(
(
(
(
°
)
9
±
0
1
±
0
1
±
0
1.30
+0.10
–0.05
0.50
+0.10
–0.05
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
TO-220
Dimensions in Millimeters
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFS830B 500V N-Channel MOSFET
IRF830S N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓為500V，導(dǎo)通電阻為1.5Ω，漏電流為4.5A）)
IRF831 N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450V/500V
IRF430 N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF431 N-CHANNEL POWER MOSFETS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF830BPBF 功能描述:MOSFET 500V 1.5ohm@10V 5.3A N-Ch D-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF830FI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220VAR
IRF830FP 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET
IRF830H 制造商:HAR 功能描述:IRF830 HARRIS
IRF830I-HF 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
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