參數(shù)資料
型號(hào)： IRF8910
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 1/10頁(yè)
文件大?。?/td> 274K
代理商： IRF8910
www.irf.com
1
4/28/04
IRF8910
HEXFET Power MOSFET
R
DS(on)
max
13.4m @V
GS
= 10V
Notes
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SO-8
Benefits
Very Low R
DS(on)
at 4.5V V
GS
Ultra-Low Gate Impedance
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
20V V
GS
Max. Gate Rating
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Units
V
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
A
Power Dissipation
Power Dissipation
W
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
W/°C
°C
T
J
T
STG
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
20
62.5
Units
°C/W
R
θ
JL
R
θ
JA
Junction-to-Drain Lead
Junction-to-Ambient
Max.
20
10
8.3
82
2.0
1.3
± 20
-55 to + 150
0.016
D1
D1
D2
D2
G1
S2
G2
S1
Top View
8
1
2
3
4
5
6
7
Applications
Dual SO-8 MOSFET for POL
converters in desktop, servers,
graphics cards, game consoles
and set-top box
V
DSS
20V
I
D
10A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF8915 HEXFETPower MOSFET
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IRF9510 3.0A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET(3.0A, 100V, 1.200 Ω,P溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
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