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參數(shù)資料
| 型號： | IRF9520 |
| 廠商： | INTERSIL CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFET(6A, 100V, 0.600 Ω, P溝道功率MOS場效應管) |
| 中文描述： | 6 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件頁數(shù)： | 1/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 57K |
| 代理商： | IRF9520 |
4-3
File Number
2281.3
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.
http://www.intersil.com or 407-727-9207
|
Copyright
Intersil Corporation 1999
IRF9520
6A, 100V 0.600 Ohm, P-Channel Power
MOSFET
This advanced power MOSFET is designed, tested, and
guaranteed to withstand a specified level of energy in the
breakdown avalanche mode of operation. These are
P-Channel enhancement mode silicon gate power field
effect transistors designed for applications such as switching
regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers
and drivers for high power bipolar switching transistors
requiring high speed and low gate drive power. These types
can be operated directly from integrated circuits.
Formerly developmental type TA17501.
Features
6A, 100V
r
DS(ON)
= 0.600
Single Pulse Avalanche Energy Rated
SOA is Power Dissipation Limited
Nanosecond Switching Speeds
Linear Transfer Characteristics
High Input Impedance
Symbol
Packaging
JEDEC TO-220AB
Ordering Information
PART NUMBER
PACKAGE
BRAND
IRF9520
TO-220AB
IRF9520
NOTE: When ordering, use the entire part number.
G
D
S
DRAIN (FLANGE)
GATE
SOURCE
DRAIN
Data Sheet
July 1999
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9530 | 12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(12A, 100V, 0.300 Ohm,P溝道功率MOS場效應管) |
| IRF9540 | 19A, 100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
| IRF9540NSTRL | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A) |
| IRF9540 | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A) |
| IRF9540N | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF9520_R4941 | 功能描述:MOSFET TO-220AB P-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF9520L | 功能描述:MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF9520N | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P TO-220 |
| IRF9520NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| IRF9520NL | 功能描述:MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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