參數(shù)資料
型號： IRF9520
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFET(6A, 100V, 0.600 Ω, P溝道功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 6 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 57K
代理商： IRF9520
4-6
FIGURE 4. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
FIGURE 5. OUTPUT CHARACTERISTICS
FIGURE 6. SATURATION CHARACTERISTICS
FIGURE 7. TRANSFER CHARACTERISTICS
FIGURE 8. DRAIN TO SOURCE ON RESISTANCE vs GATE
VOLTAGE AND DRAIN CURRENT
FIGURE 9. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE ON
RESISTANCE vs JUNCTION TEMPERATURE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
1
I
D
,
10
0.1
10
1
10
μ
s
100
μ
s
1ms
10ms
DC
OPERATION IN THIS AREA
IS LIMITED BY r
DS(ON)
100
T
J
= MAX RATED
T
C
= 25
o
C
100ms
I
D
,
0
-10
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
-20
-30
-40
-2
-4
-6
-8
-10
-50
V
GS
= -9V
V
GS
= -7V
V
GS
= -6V
V
GS
= -5V
V
GS
= -4V
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX.
0
V
GS
= -8V
V
GS
= -10V
0
-1
0
-1
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
-2
-3
-5
-2
-3
I
D
,
-4
-4
-5
V
GS
= -7V
V
GS
= -10V
V
GS
= -9V
V
GS
= -4V
V
GS
= -5V
V
GS
= -6V
V
GS
= -8V
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX.
-10
-8
-6
-4
-2
0
0
-2
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-4
-6
-8
-10
I
D
,
T
J
= -55
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX.
V
DS
≥
I
D(ON)
x r
DS(ON)
MAX
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
r
D
,
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
00
-5
-10
-15
-20
-25
V
GS
= -20V
V
GS
= -10V
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX.
O
)
N
2.2
1.4
1.0
0.6
0.2
-40
0
40
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
120
1.8
80
O
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX.
V
GS
= -10V, I
D
= -4A
IRF9520
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF9530 12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(12A, 100V, 0.300 Ohm,P溝道功率MOS場效應(yīng)管)
IRF9540 19A, 100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
IRF9540NSTRL Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
IRF9540 Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
IRF9540N Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF9520_R4941 功能描述:MOSFET TO-220AB P-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF9520L 功能描述:MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF9520N 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P TO-220
IRF9520NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRF9520NL 功能描述:MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*