參數(shù)資料
型號： IRF9540
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d- 100V的，的Rds（on）\u003d 0.117ohm，身份證\u003d- 23A條）
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大小： 59K
代理商： IRF9540
4-19
FIGURE 10. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 11. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FIGURE 12. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 13. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 14. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
-40
0
40
80
120
160
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
1.15
1.05
0.95
0.85
0.75
N
B
I
D
= 250
μ
A
2000
400
0
0
-20
-50
C
1200
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
1600
800
-10
-30
-40
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
C
OSS
C
RSS
9
6
3
0
-20
-40
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
0
15
12
-60
-80
-100
g
f
,
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0.4
1.0
1.2
1.6
1.8
0.6
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
0.8
1.4
0.1
1
10
I
S
,
100
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
Q
g(TOT)
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
0
20
40
60
80
-10
- 5
0
V
DS
= -20V
V
DS
= -50V
V
DS
= -80V
I
D
= -19A
IRF9540, RF1S9540SM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF9540N Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
IRF9540NL Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
IRF9540NS Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
IRF9610S CAP 3.9PF 50V +/-0.1PF C0G SMD-0402 TR-7-PA SN100 HIGH-FREQ
IRF9610 CAP CERAMIC 3.6PF 50V C0G 0402
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF9540_PDD 功能描述:MOSFET Replaced by SFP9540/P-CH/100V/19A/0.2OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF9540_R4941 功能描述:MOSFET TO-220AB P-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF9540L 功能描述:MOSFET P-CH 100V 19A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF9540N 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P TO-220
IRF9540NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 23A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*