參數(shù)資料
型號(hào)： IRF9910
廠商： International Rectifier
英文描述： Dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop, servers, graphics cards, game consoles and set-top box
中文描述： 雙SO - 8的POL轉(zhuǎn)換器MOSFET的臺(tái)式機(jī)，服務(wù)器，圖形卡，游戲機(jī)和機(jī)頂盒
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大小： 279K
代理商： IRF9910
www.irf.com
1
04/28/04
IRF9910
HEXFET Power MOSFET
R
DS(on)
max
Notes
through are on page 10
SO-8
Benefits
Very Low R
DS(on)
at 4.5V V
GS
Low Gate Charge
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
20V V
GS
Max. Gate Rating
Applications
Dual SO-8 MOSFET for POL
converters in desktop, servers,
graphics cards, game consoles
and set-top box
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Q1 Max.
Q2 Max.
Units
V
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
10
8.3
83
12
9.9
98
A
Power Dissipation
Power Dissipation
W
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
W/°C
°C
T
J
T
STG
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
20
62.5
Units
°C/W
R
θ
JL
R
θ
JA
Junction-to-Drain Lead
Junction-to-Ambient
± 20
20
-55 to + 150
2.0
1.3
0.016
V
DSS
20V
I
D
Q1 13.4m @V
GS
= 10V
Q2
9.3m @V
GS
= 10V
10A
12A
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