參數(shù)資料
型號： IRF9910
廠商： International Rectifier
英文描述： Dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop, servers, graphics cards, game consoles and set-top box
中文描述： 雙SO - 8的POL轉換器MOSFET的臺式機，服務器，圖形卡，游戲機和機頂盒
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大?。?/td> 279K
代理商： IRF9910
8
www.irf.com
Fig 30.
for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diodedv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Reverse
Body Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
"#$$
+
-
+
+
+
-
-
-
!"!!
!"!!%"
#$$
Fig 31.
Gate Charge Waveform
Vds
Vgs
Id
Vgs(th)
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
相關PDF資料
PDF描述
IRF9952 Power MOSFET(Vdss=+-30V)
IRF9953 Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.25ohm)
IRF9Z14S Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.7A)
IRF9Z14 Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.7A)
IRF9Z24L Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-11A)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF9910TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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