參數(shù)資料
型號: IRF9953
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.25ohm)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d- 30V的,的Rds(on)\u003d 0.25ohm)
文件頁數(shù): 6/7頁
文件大小: 107K
代理商: IRF9953
IRF9953
Package Outline
SO8 Outline
SO8
Part Marking Information
K x 45°
C
8X
L
8X
θ
H
0.25 (.010) M A M
A
0.10 (.004)
B 8X
0.25 (.010) M C A S B S
- C -
6X
e
- B -
D
E
- A -
8 7 6 5
1 2 3 4
5
6
5
RECOMMENDED FOOTPRINT
0.72 (.028 )
8X
1.78 (.070)
8X
6.46 ( .255 )
1.27 ( .050 )
3X
D IM
INC HE S M ILLIM ET ERS
M IN M A X MIN M AX
A .0532 .0688 1.35 1.75
A1 .0040 .0098 0.10 0.25
B .014 .018 0.36 0.46
C .0075 .0 09 8 0.19 0.25
D .189 .1 96 4.80 4.98
E .150 .157 3.81 3.99
e .050 B AS IC 1.27 B AS IC
e1 .025 B AS IC 0.635 B AS IC
H .2284 .2 44 0 5.80 6.20
K .011 .019 0.28 0.48
L 0.16 .050 0.41 1.27
θ
0° 8° 0 ° 8°
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M-1982.
2. CONTROLLING DIMENSION : INCH.
3. DIMENSIONS ARE SHOW N IN MILLIMETERS (INCHES).
4. OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE MS-012AA.
DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSIONS
MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.25 (.006).
6
5
A1
e1
EXAMPLE : THIS IS AN IRF7101
DATE CODE (YW W )
Y = LAST DIGIT OF THE YEAR
W W = W EEK
W AFER
LOT CODE
(LAST 4 DIGITS)
XXXX
BOTTOM
PART NUMBER
TOP
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
F7101
312
θ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF9Z14S Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.7A)
IRF9Z14 Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.7A)
IRF9Z24L Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-11A)
IRF9Z24S Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-11A)
IRF9Z24N Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF9953PBF 功能描述:MOSFET DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF9953TR 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:HEXFET® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道(雙) FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF9953TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 2.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF9956 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:HEXFET® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道(雙) FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF9956HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A 8-Pin SOIC