參數(shù)資料
型號： IRFP250A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Advanced Power MOSFET
中文描述： 32 A, 200 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大小： 256K
代理商： IRFP250A
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 1. Output Characteristics
Fig 2. Transfer Characteristics
Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
Fig 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current
IRFP250A
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
10
2
@ Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
o
C
V
GS
Top : 1 5 V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
I
D
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
25
50
75
100
125
150
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
@ Note : T
J
= 25
o
C
V
GS
= 20 V
V
GS
= 10 V
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
0.4
0.6
0.8
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
10
0
10
1
10
2
150
o
C
25
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
10
0
10
1
0
1000
2000
3000
4000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted )
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
20
40
60
80
100
0
5
10
V
DS
= 160 V
V
DS
= 100 V
V
DS
= 40 V
@ Notes : I
D
= 32.0 A
V
G
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
2
4
6
8
10
10
0
10
1
10
2
25
o
C
150
o
C
- 55
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. V
DS
= 40 V
3. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP254A N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓為250V，導(dǎo)通電阻為0.14Ω，漏電流為25A）)
IRFP254 N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓為250V，導(dǎo)通電阻為0.14Ω，漏電流為25A）)
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